|
|
Версия для печати
| Производитель | Yageo Corporation |
| Допуск емкости | ±0.25pF |
| Номинальное постоянное напряжение | 50 В |
| Тип диэлектрика | NPO |
| Рабочая температура | -55...125 °C |
| Multilayer chip capacitance | |
| Размер | 1.6x0.8x0.8 |
| Номинальное напряжение | 50 В |
| Температурный коэфициент | NPO |
| Емкость | 2.2 пФ |
| Серия | CC_0603 |
| Корпус (размер) | 0603 |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип | Керамический |
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 0402 SMD 19,6 KOM-1% |
|
|
||||||
| 0402 SMD 19,6 KOM-1% | YAGEO |
|
|
|||||
| 0402 SMD 30,1 KOM-1% |
|
|
||||||
| 0402 SMD 30,1 KOM-1% | YAGEO |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_0010NHJ | MURATA |
|
|
|||||
| 0603-LQW18A_0036NHJ | MURATA |
|
|
|||||
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт | AVAGO |
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт |
|
432.80 | ||
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт | AVAGO TECHNOLOGIES |
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт | Avago Technologies US Inc |
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт | BRO/AVAG |
|
|
|
|
|
|
ATF-54143-BLKG |
|
РЧ транзисторы на арсениде галлия 2ГГц, RF FET, 16.6 dB,725мВт | BROADCOM |
|
|