BTS724G
Wideband, 37 dB Isolation at 1 GHz, CMOS 1.65 V to 2.75 V, 4:1 Mux/SP4T
|
|
Версия для печати
| Корпус | PG-DSO-20 |
| Корпус (размер) | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C |
| Напряжение питания | 5.5 V ~ 40 V |
| Ток - выходной (пиковое значение) | 15A |
| Ток выходной / канал | 3.3A |
| Сопротивление (On-State) | 70 mOhm |
| Число выходов | 4 |
| Тип входа | Non-Inverting |
| Тип | High Side |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
BTS724G (Дискретные сигналы) Smart High-side Power Switch Four Channels: 4 X 90mohm Status Feedback
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AM29F200BT-70SI |
|
Flash 256Kx8/128Kx16 5V 70ns | AIMTEC |
|
|
|||
| AM29F200BT-70SI |
|
Flash 256Kx8/128Kx16 5V 70ns |
|
986.92 | ||||
| AM29F200BT-70SI |
|
Flash 256Kx8/128Kx16 5V 70ns | 4-7 НЕДЕЛЬ | 644 |
|
|||
 |
 |
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | 316 | 46.25 | ||
|
|
|
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INTERNATIONAL RECTIFIER | 22 |
|
|
|
|
|
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | МЕКСИКА |
|
|
|
|
|
|
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
IRLR2705 |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET | EVVO | 1 685 | 11.56 | |
|
|
PCA82C251T/YM,118 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
|||
|
|
PCA82C251T/YM,118 |
|
NXP |
|
|
|||
|
|
PCA82C251T/YM,118 |
|
NXP | 8 355 |
|
|||
|
|
PCA82C251T/YM,118 |
|
1 952 | 100.67 | ||||
| PCA82C251T/YM.118 | NXP |
|
|
|||||
| PCA82C251T/YM.118 |
|
|
||||||
| SM8S36A-E3/2D | VISHAY |
|
|
|||||
| SM8S36A-E3/2D | Vishay/General Semiconductor |
|
|
|||||
| SM8S36A-E3/2D |
|
115.20 | ||||||
| SM8S36A-E3/2D | GENERAL SEMICONDUCTOR | 10 |
|
