| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
0805-X7R-0.022UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ, 50 В
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
0805-X7R-0.022UF 10% 50V |
|
Керамический конденсатор 0.022 мкФ, 50 В
|
|
33
|
2.20
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
|
|
13.12
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NXP
|
95
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
PHILIPS
|
663
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
США
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
NEXPERIA
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
0.00
|
|
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
SLKOR
|
224
|
7.37
|
|
|
|
74HC08D |
|
Микросхема стандартной логики ТТЛ(74), И 4 х 2
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
175
|
|
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210
|
BOURNS
|
1
|
21.00
|
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210
|
|
|
67.20
|
|
|
|
CM322522-100KL |
|
ЧИП-индуктивность 10мкГн, 1210
|
2
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-110K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
|
MF-0.125-110K 5% |
|
Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический
|
|
112
|
2.80
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
|
742
|
73.60
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
928
|
144.65
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 890
|
84.00
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
245
|
|
|
|
|
|
КТ818Г |
|
Транзистор кремниевый большой мощности среднечастотный структуры PNP усилительный
|
4618
|
|
|
|