| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
76
|
653.40
|
|
|
|
|
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
|
|
504.32
|
|
|
|
|
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
Vishay/Semiconductors
|
|
|
|
|
|
|
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
HFA30PB120 |
|
Диод выпрямительныйный HEXFRED 30A 1200В
|
IR/VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
|
|
70.24
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
PHILIPS
|
14
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF540 |
|
Транзистор полевой N-канальный 100В, 130Вт
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MICROSEMI CORP
|
|
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
|
|
66.84
|
|
|
|
|
IRF640 |
|
Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=11A@t=100C)
|
MINOS
|
3 068
|
18.40
|
|
|
|
|
К75-54М-10КВ-0.01 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 10000 В
|
|
|
1 580.00
|
|
|
|
|
К75-54М-10КВ-0.022 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.022 мкФ 10000 В
|
|
|
2 740.00
|
|
Версия для печати
