IRF4905STRL
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 42A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 42A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 180nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 3500pF @ 25V |
| Power - Max | 170W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB |
| Корпус | D2PAK |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
3302X-3-203E |
|
Bourns Inc |
|
|
||
|
|
|
3302X-3-203E |
|
BOURNS |
|
|
||
|
|
|
3302X-3-203E |
|
|
|
|||
| IRF7416TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7416TR | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|||||
| IRF7416TR |
|
|
||||||
| IRF7416TR | INFINEON |
|
|
|||||
| IRF7416TR | VBSEMI |
|
|
|||||
| IRF7416TR | UMW-YOUTAI |
|
|
|||||
| IRF7416TR | YOUTAI | 1 391 | 12.80 | |||||
| LM2576D2T-ADJR4G |
|
|
||||||
| LM2576D2T-ADJR4G | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||
| LM2576D2T-ADJR4G | ONS |
|
|
|||||
| LM2576D2T-ADJR4G |
|
|
||||||
| LM2576D2T-ADJR4G | 4-7 НЕДЕЛЬ |
|
|
|||||
| SS510C | GALAXY |
|
|
|||||
| SS510C | GALAXY ME |
|
|
|||||
| SS510C |
|
|
||||||
| SS510C | 1 |
|
|
|||||
| SS510C | MSKSEMI | 31 988 | 5.78 | |||||
| SS510C | JINGDAO | 681 | 6.64 | |||||
| TC76Z-1-203 |
|
Подстроечный резистор 20к | BOURNS |
|
|
|||
| TC76Z-1-203 |
|
Подстроечный резистор 20к | Bourns Inc |
|
|
|||
| TC76Z-1-203 |
|
Подстроечный резистор 20к |
|
|
