Версия для печати
Технические характеристики IRF6614TR
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 2560pF @ 20V |
| Power - Max | 2.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DirectFET™ Isometric ST |
| Корпус | DIRECTFET™ ST |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
