ULN2004 DIP-16
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1206-4.3 5% |
|
ЧИП — резистор |
|
0.96 >500 шт. 0.32 |
||||
 |
 |
К555ТМ7 |
|
Четыре D-триггера с прямыми и инверсными выходами. | 2 | 64.75 | ||
|
|
|
К555ТМ7 |
|
Четыре D-триггера с прямыми и инверсными выходами. | МИОН |
|
|
|
| КАПСЮЛЬ TRI-20N-A 50 ОМ 0.25ВТ |
|
98.40 | ||||||
 |
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный |
|
20.40 | ||
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | МИНСК | 9 518 | 37.80 | |
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ТРАНЗИСТОР МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ЗПП МИНСК |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ |
|
|
|
|
|
|
КТ972Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный | ИНТЕГРАЛ-С |
|
|
|
| СМАЗКА СИЛИКОНОВАЯ, 5 Г | 6 | 60.84 |
