Версия для печати
Технические характеристики BC846ALT1

Корпус	SOT-23-3
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Тип монтажа	Поверхностный
Frequency - Transition	100MHz
Power - Max	225mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	110 @ 2mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	600mV @ 5mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	65V
Current - Collector (Ic) (Max)	100mA
Transistor Type	NPN
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Product Change Notification	LTB Notification 08/Jan/2008

BC8xxxLTx General Purpose Transistors NPN Silicon Также в этом файле: BC846ALT1 Производитель: ON Semiconductor //www.onsemi.com BC846ALT1 datasheet 93.81Kb 8стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (биполярные) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		CDRH6D38NP-220NC			SUMIDA	16 524	27.91
		CDRH6D38NP-220NC					34.00
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DIODES
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	DC COMPONENTS	38 972	1.57
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MCC
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS		3	15.12
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	WTE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	КИТАЙ	18	3.00
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIC	10 720	2.73
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KINGTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GALAXY ME
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YJ	38	3.10
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KLS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SUNTAN
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE	12 000	2.32
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	YANGJIE (YJ)
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MIG
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	SEMTECH
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	OLITECH	48	1.75
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	1
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	MDD	528	1.45
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	RUME	8 400	1.47
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	TRR ELECTRONICS
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	GOODWORK
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	KEEN SIDE
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	60
		HER208		Ультрабыстрый диод 1000V, 2A, 30pF, < 75nS	661
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERNATIONAL RECTIFIER
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	INTERSIL
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	VISHAY
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.		326	37.08
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	Vishay/Siliconix
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	КИТАЙ
		IRF9640		P-канальный полевой транзистор 200В, 11A, 0.5 Ом (max), 125Вт.	1

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"