|
Версия для печати
| Производитель | International Rectifier Corporation |
| Количество в упаковке | 80 шт. |
| Вес | 0.063 г |
| Схема сборки | 1N/1P |
| Максимальное рабочее напряжение | 20 В |
| Напряжение затвор-исток | 12 В |
| Тип 1-го транзистора | N |
| Ток стока (при Ткорп=25?С) | 2.4 А |
| Заряд затвора | 5.3 нК |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 Вт |
| Тип 2-го транзистора | P |
| Ток стока (при Ткорп=25?С) | 1.7 А |
| Заряд затвора | 5.4 нК |
| Рассеиваемая мощность | 1.25 Вт |
| HEXFET Power MOSFETs Dual N and P-Channel |