ГД508А

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MURATA
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	Murata Electronics North America
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MUR	54 748	32.90
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%		400
GRM55DR72E105KW01L	Керамический конденсатор 1 мкФ, 250 В, 10%	MURA
КП103ИР				28.80
КП103ИР		ВИННИЦА
КП307Е	никель			36.20
КП307Е	никель	ФОТОН	400	49.19
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц		164	45.36
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ	34	28.89
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	БРЯНСК
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	RUS
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	РИГА
КТ644А	Транзистор универсальный PNP 60В, 0.6А, 200МГц	КРЕМНИЙ (БРЯНСК)
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	31	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		234	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09