FDT457N
N-channel enhancement mode field effect transistor
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.9nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 235pF @ 15V |
| Power - Max | 1.1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223-3 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDT457N (MOSFET) N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Производитель:
|
