ES3B
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 100V |
| Diode Type | Standard |
| Скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 20ns |
| Capacitance @ Vr, F | 45pF @ 4V, 1MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | DO-214AB, SMC |
| Корпус | SMC |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем | ATTEND |
|
|
|
|
|
|
112J-TDAR-R |
|
Слот - держатель карты SD, SMD, с выталкивателем |
|
|
||
| GRM1555C1H180JA01D | MUR | 233 340 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 4 400 | 1.03 | |||||
| GRM1555C1H180JA01D | MURATA | 53 332 |
|
|||||
| GRM1555C1H180JA01D |
|
|
||||||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН |
|
152.00 | |||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ONS |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | ON SEMICONDUCTO |
|
|
||
|
|
NCP1529ASNT1G |
|
Регулируемый понижающий СН | 4-7 НЕДЕЛЬ | 200 |
|
||
| RC0805FR-07680RL | YAGEO | 226 675 |
0.55 >1000 шт. 0.11 |
|||||
| RC0805FR-07680RL | YAGEO | 17 142 |
|
|||||
| RC0805FR-07680RL |
|
|
||||||
| WF-2R (DS1070-2 MR) | ZHENQIN |
|
|
|||||
| WF-2R (DS1070-2 MR) | CONNFLY |
|
|
