SI3445DV-T1-E3
|
| Название (производитель) |
Доступно для заказа |
Цена, руб.,без НДС |
Купить |
|
SI3445DV-T1-E3 (VISHAY) |
40 |
36.30
|
|
|
SI3445DV-T1-E3 (SILICONIX.) |
2 030 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
SI3445DV-T1-E3 (VISHAY.) |
1 600 |
3-4 недели
Цена по запросу
|
|
|
Версия для печати
Технические характеристики SI3445DV-T1-E3
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 42 mOhm @ 5.6A, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 25nC @ 4.5V |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Корпус | 6-TSOP |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
