Версия для печати
Технические характеристики 293D106X9016C2TE3

Номинальное напряжение	16 В
Емкость	10 мкФ
Серия	293D
Корпус (размер)	6032-28
Тип монтажа	Поверхностный
Тип	Электролитический танталовый
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Допустимые отклонения емкости	±10%
Tolerance	±10%
ESR (Equivalent Series Resistance)	1.800 Ohm
Тип	Molded
Рабочая температура	-55°C ~ 125°C
Size / Dimension	0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm)
Высота	0.110" (2.79mm)
Manufacturer Size Code	C
Возможности	General Purpose

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Конденсаторы

 » 

Электролитический танталовый

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		8,000000 MHZ HC-49SMD 30PPM 20ПФ КВАРЦЕВЫЙ РЕЗОНАТОР 49SMD8.000
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...		79 527	1.07
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	UTC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	INFINEON
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD SEMICONDUCTORS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FAIRCHILD	2 248
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	OTHER
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	Fairchild Semiconductor
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	КИТАЙ
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DI
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	FSC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	DIODES
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONSEMICONDUCTOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ONS-FAIR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	LRC
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	ON SEMICONDUCTOR	256
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	KLS
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	PANJIT	1	2.58
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YJ	305 076	1.08
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YANGJIE (YJ)
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	HOTTECH	273 184	1.89
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SIKOR
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JANGJIE
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	JSCJ	26 332	1.44
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	YOUTAI	46 459	1.10
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SUNTAN	64 660	1.41
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	SHIKUES	3 824	2.25
		BSS138		N-канальный Полевой транзистор (Vds=50V, Id=0.20A@T=25C, Rds=5.6 Ohm (typ), P=225mW, ...	EVVO	7 900	1.96  >100 шт.   0.98
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	AUK
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	BM
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	ZHEN
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А		140	50.88
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	KLS
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	CONNFLY
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	NXU
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	КИТАЙ	80	17.01
		PBS-20		Розетка на плату 1 ряд 20 контактов, прямая , шаг 2.54мм, 500В, 1А	CHINA
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	ANALOG DEVICES
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	Analog Devices Inc
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	США
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C			302.80
		REF195GSZ		ИОН на 5В +2мВ 5ppm/°C, SOIC8, -40°C - +85°C	4-7 НЕДЕЛЬ	200
		SK56B			KLS
		SK56B			SUNTAN
		SK56B			HOTTECH	6 715	4.86
		SK56B			ASEMI	28	10.97
		SK56B			KOME

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"