| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Transistor Type | PNP |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 45V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 700mV @ 50mA, 500mA |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 200nA |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 250 @ 100mA, 1V |
| Power - Max | 300mW |
| Frequency - Transition | 100MHz |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Корпус | SOT-23 |
| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
BC817-40-7-F |
|
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40-7-F |
|
|
DI
|
|
|
|
|
|
|
BC817-40-7-F |
|
|
DIODES INC.
|
2 094
|
|
|
|
|
|
BC817-40-7-F |
|
|
Diodes Inc
|
|
|
|
 |
 |
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
|
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
|
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
HARRIS
|
|
|
|
|
|
|
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
INTERSIL
|
|
|
|
|
|
|
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
|
|
139.28
|
|
|
|
|
IRFP340 |
|
Транзистор полевой
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
4
|
1.59
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONS
|
135
|
2.19
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTOR
|
794
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ON SEMICONDUCTO
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
MMBT5401LT1G |
|
Полевой транзистор SMD, PNP, 150В, 500мA, SOT-23
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP11NK40ZFP |
|
N-channel 400v - 0.49? - 9a to-220fp zener-protected supermeshtm power mosfet
|
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
1 329
|
30.28
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
|
5 688
|
35.68
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
STP6NK60ZFP |
|
MOSFET силовой транзистор N, Uси: 600 В, Iс(25°C): 6 А, Rси(вкл): 1 Ом, Uзатв(ном): 10 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
623
|
|
|
Версия для печати
