P4SMAJ30A
|
Версия для печати
| Port Location | Рабочее напряжение: |
| Number of Pins | Ток потребления при рабочем напряжении: |
| Contact End | Минимальное напряжение ограничения: |
| Number of Poles | Максимальное напряжение ограничения: |
| Shield Material | Максимальное импульсное напряжение: |
| Number of Positions or Pins (Grid) | Максимальный импульсный ток: |
| Shield Type | Симметрия ВАХ: |
| Constant Current Load - Max | Тип корпуса: |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
BZV55-B12,115 |
|
NXP Semiconductors |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NXP |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NEX |
|
|
||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
|
|
|||
|
|
|
BZV55-B12,115 |
|
NEXPERIA | 1 | 8.28 | ||
| LTV-817S-TA1-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | LITE ON OPTOELECTRONICS |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | LIT | 113 056 | 2.67 | |||||
| LTV-817S-TA1-C | LITE-ON | 61 379 | 4.71 | |||||
| LTV-817S-TA1-C |
|
|
||||||
| LTV-817S-TA1-C | 0.00 |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | YIXING |
|
|
|||||
| LTV-817S-TA1-C | RUME |
|
|
|||||
 |
|
TLP181(GB,F,T) |
|
Toshiba | 8 020 | 25.83 | ||
|
|
|
TLP181(GB,F,T) |
|
TOSHIBA |
|
|
||
|
|
|
TLP181(GB,F,T) |
|
TOS |
|
|
||
|
|
|
TLP181(GB,F,T) |
|
|
|
|||
 |
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ | TOSHIBA |
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ | TOS |
|
|
|
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ |
|
28.00 | ||
|
|
|
TLP181GB-TPL[F] |
|
Оптрон с транзисторным выходом одноканальная 3.75кВ | 4-7 НЕДЕЛЬ | 684 |
|
|
| К294КН4ВР | 3 577 | 51.80 | ||||||
| К294КН4ВР | 3 577 | 51.80 |
