2SC2570A

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
2SC2570A (ПЛАНЕТА)	52	43.47

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

2SC2570A (Дискретные сигналы)

High Frequency Low Noise Amplifier Npn Silicon Epitaxial Transistor

Также в этом файле: 2SC2570A-T

Производитель:
NEC
//www.ncsd.necel.com

2SC2570A datasheet
121.75Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
ECAP (К50-35), 100 МКФ, 16 В, 105°C 511		JAMICON
К10-17Б-NPO-820ПФ 50 (5%)
КР1157ЕН502А	+5В, 100мА			12.48
КР1157ЕН502А	+5В, 100мА	ДАЛЕКС
КР1157ЕН502А	+5В, 100мА	АЛЕКСАНДРОВ
КР1157ЕН502А	+5В, 100мА	БРЯНСК
КТ3102ДМ				4.72
КТ3102ДМ		КРЕМНИЙ	800	10.58
КТ3102ДМ		СВЕТЛАНА
КТ3102ДМ		АЛЕКСАНДРОВ	427	6.30
КТ3102ДМ		БРЯНСК
КТ3102ДМ		МИНСК
КТ3102ДМ		RUS
КТ3102ДМ		ЭЛЕКС	52	6.05
КТ3102ДМ		ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		1 875	30.36
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК	6 168	37.80
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЗПП МИНСК
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ-С
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ЭКСИТОН
КТ973Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	VBYCR