IXDS430SI
|
|
Версия для печати
| Корпус | 28-SOIC |
| Корпус (размер) | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Рабочая температура | -55°C ~ 125°C |
| Напряжение питания | 8.5 V ~ 35 V |
| Число выходов | 2 |
| Число конфигураций | 2 |
| Ток пиковое значение | 30A |
| Время задержки | 41ns |
| Тип входа | Inverting and Non-Inverting |
| Конфигурация | Low-Side |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXDD430YI | IXYS |
|
|
|||||
| IXDD430YI |
|
944.00 | ||||||
| IXDD430YI | 4-7 НЕДЕЛЬ | 524 |
|
|||||
| IXDN430CI |
|
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | IXYS |
|
|
|||
| IXDN430CI |
|
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 |
|
1 482.00 | ||||
| IXDN430CI |
|
IC DRVR MOSF/IGBT 30A TO220-5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 189 |
|
|||
| IXDN430YI |
|
IC DRVR MOSF IGBT 30A | IXYS |
|
|
|||
| IXDN430YI |
|
IC DRVR MOSF IGBT 30A |
|
953.60 | ||||
| IXDN430YI |
|
IC DRVR MOSF IGBT 30A | IXYS CORPORATION | 43 |
|
|||
| IXDN430YI |
|
IC DRVR MOSF IGBT 30A | 4-7 НЕДЕЛЬ | 370 |
|
|||
| SF303 | DIODES |
|
|
|||||
| SF303 | DIODES INC. |
|
|
|||||
| SF304 | DC COMPONENTS |
|
|
|||||
| SF304 |
|
386.00 |
