IRFB4019
|
Версия для печати
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50µA |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95 mOhm @ 10A, 10V |
| FET Feature | Standard |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Power - Max | 80W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W | INFINEON |
|
|
||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W |
|
237.60 | |||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W | Infineon Technologies |
|
|
||
|
|
ICE3B0565 |
|
SMPS сх. упpавления, MOSFET 650V/Idp=0.5A, Pout=W | 4-7 НЕДЕЛЬ | 766 |
|
