IRFZ44NS


Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=55V, Id=49A@T=25C, Id=35A@T=100C, Rds=17.5mOhm(max), P=94W, -55 to +175C).

Купить IRFZ44NS по цене 28.92 руб.  (без НДС 20%)
IRFZ44NS
Название (производитель) Доступно для заказа Цена, руб.,без НДС Купить
IRFZ44NS 931 28.92 
IRFZ44NS (YOUTAI) 719 50.50 

Версия для печати

Технические характеристики IRFZ44NS

Lead Free Status / RoHS StatusContains lead / RoHS non-compliant
СерияHEXFET®
FET TypeMOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET FeatureStandard
Rds On (Max) @ Id, Vgs17.5 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C49A
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs63nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds1470pF @ 25V
Power - Max3.8W
Тип монтажаПоверхностный
Корпус (размер)TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
КорпусD2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

IRFZ44NS

N-channel Enhancement Mode Trenchmos Transistor

Производитель:
Philips Semiconductors
//www.semiconductors.philips.com

IRFZ44NS datasheet
73.7Kb
8стр.

С этим товаром покупают:

    Наименование   Описание Производитель Количество Цена, руб. Купить
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   FAIR Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   MCC Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )     1 788 2.39 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NXP 16 000 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PHILIPS 28 085 цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   NEXPERIA Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SUNTAN Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   WUXI XUYANG 9 404 1.42 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   SEMTECH 78 1.89 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   HOTTECH 58 1.90 
>100 шт.   0.95 
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   1 Заказ радиодеталей цена радиодетали
BAS32L Импульсный диод (Vrrm=75V, Vr=75V, If=200mA, Ifrm=450mA, Ts=-60 to +200C )   PLINGSEMIC 38 896 1.66 
>100 шт.   0.83 
    CF-0.25-39 5% Резистор углеродистый   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CF-0.25-39 5% Резистор углеродистый     Заказ радиодеталей 0.84 
>500 шт.   0.28 
    CF-0.25-390 5% Резистор углеродистый   CHINA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    CF-0.25-390 5% Резистор углеродистый     Заказ радиодеталей 0.84 
>500 шт.   0.28 
    HMO1001A-60 PBF микрофон9.8мм,1.5В     Заказ радиодеталей 57.60 
    HMO1001A-60 PBF микрофон9.8мм,1.5В   JLW 2 745 22.64 
    HMO1001A-60 PBF микрофон9.8мм,1.5В   JL WORLD Заказ радиодеталей цена радиодетали
    HMO1001A-60 PBF микрофон9.8мм,1.5В   KEEN SIDE 1 440 8.07 
    КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0479     GAINTA Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0479       Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0479     ТАЙВАНЬ (КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
    КОРПУС ДЛЯ РЭА G 0479     ТАЙВАНЬ(КИТАЙ) Заказ радиодеталей цена радиодетали
zakaz.kontest
 
радиодетали кварц микросхемы магазин
О компании Контакты Каталог Как купить? Доставка Оплата Вакансии   Вход