IRF7316
P-канальный Полевой транзистор (Vds=-30V, Id=-4.9A, Rds=58m R)
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | HEXFET® |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 4.9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 4.9A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 710pF @ 25V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
IRF7316 30V Dual P-channel HexFET Power MOSFET inA SO-8 Package
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GRM319R61A106KE19D |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 10 В | MUR |
|
|
|||
| GRM319R61A106KE19D |
|
Керамический конденсатор 10 мкФ 10 В | Murata Electronics North America |
|
|
|||
 |
MAX639ESA | MAXIM |
|
|
||||
|
|
MAX639ESA |
|
1 280.00 | |||||
|
|
MAX639ESA | 4-7 НЕДЕЛЬ | 424 |
|
||||
 |
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAXIM |
|
|
||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAX |
|
|
||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 |
|
110.12 | |||
|
|
MAX660ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 576 |
|
||
|
|
MAX861ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAXIM |
|
|
||
|
|
MAX861ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | 1 | 370.00 | |||
|
|
MAX861ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | MAX |
|
|
||
|
|
MAX861ESA |
|
DC/DC, инвертирующий, Ind SO8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 767 |
|
||
 |
ГТ701А | 3 | 442.71 | |||||
|
|
ГТ701А | ФОТОН | 2 376 | 84.80 | ||||
|
|
ГТ701А | 1404 |
|
|
||||
|
|
ГТ701А | 738 |
|
|
||||
|
|
ГТ701А | 828 |
|
|
