Версия для печати
Технические характеристики IRF5210

Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 24A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	40A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	180nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	2700pF @ 25V
Power - Max	3.8W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус	TO-262

IRF5210S (P-канальные транзисторные модули) 100V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRF5210S Производитель: International Rectifier //www.irf.com IRF5210 datasheet 188.6Kb 10стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

 » 

Транзисторы (полевые) - одиночные

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	MICRO COMMERCIAL COMPONENTS
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	YJ
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...		351	24.05
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	MIC	2 575	11.13
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	GALAXY
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	КИТАЙ
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	GALAXY ME
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	HOTTECH	7 169	9.10
		2W10M		Диодный мост (V=1000В, I=2.0А, Ifsm=60A, Vf=1.1V@I=2.0A, Rm=5.2mm, -55 to +125C), ...	YIXING	4 000	8.68
		К140УД6		Операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким ...			113.52
		К140УД6		Операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким ...	КВАЗАР
		К140УД6		Операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким ...	КОНТИНЕНТ
		К140УД6		Операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким ...	КАЛУГА
		К140УД6		Операционные усилители средней точности с транзисторами на входе со сверхвысоким ...	РОДОН
		К50-68-63В-1000МКФM
		КД271БС					76.80
		КД271БС			ВОРОНЕЖСКИЙ ЗПП
		КД271БС			ВОРОНЕЖ
		КД271БС			RUS
		КД271БС			ВЗПП
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	КВАРЦИТ
		КТ315Г ЖЕЛТ.		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	ТОМСК

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"