| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL
|
2 151
|
212.00
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
|
1 613
|
190.98
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEL CORPORATION
|
204
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
США
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
2 977
|
216.97
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
MICRO CHIP
|
1 368
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
85
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
158
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
2531
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
478
|
|
|
|
|
|
ATMEGA16A-AU |
|
8- бит AVR RISC микроконтроллер (16K ISP Flash, 512 bytes EEPROM, 1K SRAM, JTAG, 32x8 ...
|
ATMEGA
|
1 600
|
288.32
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 639
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DC COMPONENTS
|
61 046
|
1.57
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MCC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIOTEC
|
3 024
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON
|
240
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NXP
|
1 212
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PHILIPS
|
976
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
МАЛАЙЗИЯ
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DI
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
|
29 852
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
DIODES
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
HOTTECH
|
796 629
|
1.11
>500 шт. 0.37
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH / NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEX-NXP
|
56 000
|
2.07
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SEMTECH
|
3 026
|
1.08
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YJ
|
735 200
|
1.54
>100 шт. 0.77
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
PH/NXP
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
CTK
|
2 489
|
1.70
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
OLITECH ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
SUNTAN
|
817
|
1.04
>100 шт. 0.52
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
NEXPERIA
|
450 425
|
1.02
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
YANGZHOU YANGJIE ELECTRONIC TECHNOLOGY CO
|
16
|
1.92
>100 шт. 0.96
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
XXW
|
531 734
|
1.20
>500 шт. 0.40
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
KEEN SIDE
|
2 040
|
1.17
>500 шт. 0.39
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
MERRYELC
|
39 360
|
1.12
>100 шт. 0.56
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
1999
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
2396
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
2771
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
3112
|
|
|
|
|
|
BC847C |
|
Транзистор NPN с большим коэффициентом усиления 45V, 0.1A, 300мВт, 100МГц
|
50
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ACD |
|
Стабилизатор напряжения +33V 0,1A
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ACD |
|
Стабилизатор напряжения +33V 0,1A
|
|
|
17.12
|
|
|
|
|
L78L33ACD |
|
Стабилизатор напряжения +33V 0,1A
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ACD |
|
Стабилизатор напряжения +33V 0,1A
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
L78L33ACD |
|
Стабилизатор напряжения +33V 0,1A
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
510
|
|
|
|
|
|
PBD2-16 (PBD2-2X8) |
|
|
|
|
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
|
3 668
|
38.98
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
MICRO CHIP
|
184
|
39.43
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
TC1047AVNBTR |
|
Микросхема преобразователя темп./напряжение 10мВ/oC
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
683
|
|
|