L2722

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
L2722 (ST MICROELECTRONICS)	973	50.40
L2722	21 994	27.75
L2722 (4-7 НЕДЕЛЬ)	128	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики L2722

Корпус	8-Mini DIP
Корпус (размер)	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Тип монтажа	Выводной
Напряжение-выходное, Single/Dual (±)	4 V ~ 28 V, ±2 V ~ 14 V
Ток выходной / канал	1.5A
Ток выходной	10mA
Напряжение входного смещения	10000µV
Ток - входного смещения	200nA
Полоса пропускания	1.2MHz
Скорость нарастания выходного напряжения	2 V/µs
Число каналов	2
Тип усилителя	General Purpose
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

L2720 (Контроллеры двигателей)

LOW DROP DUAL POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

Также в этом файле: L2722

Производитель:
STMicroelectronics
//www.st.com

L2722 datasheet
115.68Kb
10стр.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
2SC2335-Y			3	226.80
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W	INFINEON
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W	MITSUBISHI
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W	MIT
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W			137.00
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W	МЕКСИКА
FS7KM-16A	Транзистор полевой N-MOS 800V, 7A, 40W	MITSUBISHI
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIR
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FSC1
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FSC
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	FAIRCHILD
FSDM0265RN	SMPS сх. упpавления, MOSFET 650В, 8А,92 ... 108кГц, 27Вт	ONS
GBJ2510			920	29.66
GBJ2510		Diodes Inc
GBJ2510		YJ	1 472	56.41
GBJ2510		MIC	347	67.17
GBJ2510		YT
GBJ2510		LIT
GBJ2510		HOTTECH	432	33.62
GBJ2510		YANGJIE
GBJ2510		YANGJIE (YJ)
NTC10 ТЕРМИСТОР		EPCOS