| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
5 503
|
1.70
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DC COMPONENTS
|
21 899
|
1.37
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIOTEC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
185
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PANJIT
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SEMTECH
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
|
15 485
|
1.42
>100 шт. 0.71
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
NXP
|
1 100
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
DIODES INCORPORATED
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
LRC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
HOTTECH
|
297 317
|
1.24
>100 шт. 0.62
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YJ
|
527 375
|
1.68
>100 шт. 0.84
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE (YJ)
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
CJ
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JSCJ
|
40 684
|
1.30
>100 шт. 0.65
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGJIE
|
4 800
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
JINGDAO
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
TWGMC
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
MDD
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
PLINGSEMIC
|
125 980
|
1.06
>100 шт. 0.53
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
SLKOR
|
96
|
1.14
>100 шт. 0.57
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
KEEN SIDE
|
125 129
|
1.18
>100 шт. 0.59
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
1700
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
2209
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
3000
|
|
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
208619
|
1
|
1.28
>100 шт. 0.64
|
|
|
|
BAV70 |
|
2 импульсных диода (общий катод, Vr=70V, If=0.2A, Ifsm=1A@t=1s, trr=6ns)
|
416
|
1
|
1.40
>100 шт. 0.70
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHILIPS
|
201
|
148.40
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SANYO
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
67
|
115.92
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
SAN
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NXP
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
INCHANGE SEMIC
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
1
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
PHIIPS
|
40
|
148.40
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
181
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
50
|
|
|
|
|
|
BU508DF |
|
Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
|
71
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
|
|
125.52
|
|
|
|
|
LMX1602TM |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
688
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON
|
336
|
74.20
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
|
|
161.64
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
INFINEON TECH
|
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
183
|
|
|
|
|
TDA4605-2 |
|
SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz
|
402
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
|
39
|
307.44
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
RUS
|
|
|
|
|
|
ФД263-01 |
|
Фотодиод структуры PN с фоточувствительным элементом размерами 3x3 мм
|
КВАРЦ.ЧЕРНОВЦЫ
|
272
|
196.31
|
|