Версия для печати

BUZ90A (N-канальные транзисторные модули) Sipmos Power Transistor (n Channel Enhancement Mode Avalanche-rated) Производитель: Siemens Semiconductor Group //www.infineon.com BUZ90A datasheet 179.34Kb 9стр.

КАТАЛОГ

 » 

ИМПОРТНЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

Полупроводники

 » 

Транзисторы

Аналоги:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		КП726А
		КП726А
		КП726А			МИНСК
		КП726А			ИНТЕГРАЛ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	FAIR
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	NXP
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	PHILIPS
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	SANYO
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	CHINA
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS		252	130.20
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	SAN
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	NXP
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	КИТАЙ
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	INCHANGE SEMIC
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	NO TRADEMARK
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	ISCSEMI
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	1
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	PHIIPS
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	181
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	50
		BU508DF		Транзистор биполярный большой мощности NPN+D, 1500V, 8A, 35W, Tf<0.7uS	71
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	INFINEON
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz		253	65.10
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	ST MICROELECTRONICS
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	Infineon Technologies
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	КИТАЙ
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	INFINEON TECH
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	4-7 НЕДЕЛЬ
		TDA4605-2		SMPS упpавление N-MOS/MOSFET, Fmax=180 kHz	402
		КР142ЕН8Д		(7812)		12	18.60
		КР142ЕН8Д		(7812)	БРЯНСК
		КР142ЕН8Д		(7812)	ВОРОНЕЖ
		КР142ЕН8Д		(7812)	КРЕМНИЙ	9	57.78
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц		12 636	40.92
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ТРАНЗИСТОР
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ЗПП МИНСК
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ	3 440	84.72
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	ИНТЕГРАЛ-С
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	RUS
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	РОССИЯ
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	47
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8658
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	88
		КТ973А		Транзисторы составные большой мощности высокочастотные структуры PNP 60В, 8Вт, 200 МГц	8879
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ДНЕПР	960
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.		2 577	186.00
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ХЕРСОН
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 1
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САРАНСКИЙ З-Д ТОЧНЫХ ПРИБОРОВ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	RUS
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	СЗТП	52	530.94
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	П/П 2
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	РОССИЯ
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	САПФИР
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	ПО "ДНЕПР"	208	299.63
		КЦ407А		Блок из кремниевых, мезадиффузионных диодов, соединенных по мостовой схеме.	20

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2026 АО "Контест"