|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
800
|
12.47
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
FAIRCHILD
|
332
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
DC COMPONENTS
|
15 344
|
5.38
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
STMicroelectronics
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
|
|
12.92
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
2N7000 |
|
Транзистор полевой N-канальный (60В, 0.2A, 0.4Вт)
|
1
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAMSUNG
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
|
1
|
409.50
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAM
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
UNKNOWN
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
|
1
|
409.50
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
SAVANTIC
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2SD5072 |
|
Фотодиод кремниевый 50В, 125мВт
|
ISCSEMI
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
|
|
55.80
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
NSC
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
NATIONAL SEMIC
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
TEXAS INSTRUMENTS
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
TEXAS
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
NS
|
|
|
|
|
|
LM386N-1 |
|
Маломощный усилитель широкого применения
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
170
|
|
|
|
|
К176ЛА9 |
|
3 трёхвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
|
191
|
37.80
|
|
|
|
К176ЛА9 |
|
3 трёхвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
ХАБАРОВСК
|
|
|
|
|
|
К176ЛА9 |
|
3 трёхвходовых базовых элемента И с инверсией выходного сигнала
|
НЗПП
|
|
|
|
|
|
К71-7-250-0.057 0.5% |
|
Плёночный конденсатор 0.057 мкФ 250 В
|
|
|
45.44
|
|
|
|
К71-7-250-0.057 0.5% |
|
Плёночный конденсатор 0.057 мкФ 250 В
|
СКЗ
|
|
|
|