FDS6680A
Single n-channel, logic level, powertrench mosfet
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12.5A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 23nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 15V |
| Power - Max | 1W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SOICN |
| Product Change Notification | Cu Wirebond Change 12/Oct/2007 Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
|
FDS6680AS 30v N-channel Powertrench Syncfet Также в этом файле: FDS6680AS_NL
Производитель:
|
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IHLP5050FDER4R7M01 | VISHAY | 248 | 209.66 | |||||
| IHLP5050FDER4R7M01 | Vishay/Dale |
|
|
|||||
| IHLP5050FDER4R7M01 |
|
|
||||||
| IHLP5050FDER4R7M01 | VISHAY |
|
|
|||||
 |
 |
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ... | ST MICROELECTRONICS |
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ... |
|
520.00 | ||
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ... | STMicroelectronics |
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ... | ST MICROELECTRONICS SEMI |
|
|
|
|
|
|
L6599D |
|
Контроллер для AC-DC, Resonant Half-Bridge, 500 кГц; Iвых: 300...800 мА; 50 % duty ... | 4-7 НЕДЕЛЬ | 721 |
|
|
|
|
LM336M-2.5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 | NSC |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 |
|
44.64 | |||||
|
|
LM336M-2.5 | NATIONAL SEMICONDUCTOR |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 | ВЕЛИКОБРИТАНИЯ |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 | TEXAS |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 | NATIONAL |
|
|
||||
|
|
LM336M-2.5 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 267 |
|
||||
| ЧИП 0805 12.4K 1% | YAGEO |
|
|
|||||
| ЧИП 0805 21.0К 1% | YAGEO |
|
|
