|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4742A (12V) |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
1N4742A (12V) |
|
Стабилитрон выводной 1 Вт, 12 V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
|
16
|
45.36
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS
|
121
|
16.80
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИНДИЯ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
PILIPINES
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHANGJIANG
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
HOTTECH
|
692
|
10.74
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
CHINA
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
JSCJ
|
8 892
|
8.58
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
1
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
ИМОРТ
|
|
|
|
|
|
BD139 |
|
Транзистор NPN (Uce=80V, Ic=1.5A, H P=12.5W, B=40-160@Ic=150mA, -55 to +150C)
|
NXP
|
560
|
3.58
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
48
|
1 136.52
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
|
|
429.16
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MICRO CHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
MCHIP
|
|
|
|
|
|
PIC16F876A-I/SP |
|
8Kx14 Flash 22I/O, 20MHz, EEPROM Size:256Byte, Memory Size, RAM:368Byte
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
536
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
|
|
20.92
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
СКЗ
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
К73-17-630-0.33 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.33 мкФ 630 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
|
1
|
166.50
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
УЛЬЯНОВСК
|
425
|
357.00
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
ИСКРА
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ117А |
|
Транзистор кремниевый однопереходные с базой N-типа 300мВТ, 0,2МГц, 50мА
|
НПП УРЛЗ
|
64
|
599.26
|
|