|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
BZX84-C3V0 | NXP |
|
|
||||
|
|
BZX84-C3V0 | PHILIPS |
|
|
||||
|
|
BZX84-C3V0 | NXP | 6 956 |
|
||||
|
|
BZX84-C3V0 | PHILIPS | 23 737 |
|
||||
|
|
BZX84-C3V0 | KEEN SIDE | 4 200 |
1.22 >100 шт. 0.61 |
||||
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm | BOURNS |
|
|
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm |
|
|
||
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm | Bourns Inc |
|
|
|
|
|
|
RLB0914-220KL |
|
Индуктивность 22μH 1,9A 8,7x12mm | ВОURNS |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W |
|
552.00 | ||
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | Infineon Technologies |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | КИТАЙ |
|
|
|
|
|
|
SPP11N60C3 |
|
Полевой транзистор N-MOS 600V, 11A, 125W | INFINEON TECH |
|
|
|
| КИГ 0.2- 22 МКГН | RUS |
|
|
|||||
| КИГ 0.2- 22 МКГН | ФЕРРОПРИБОР |
|
|
|||||
| КТ 630 Е | RUS |
|
|