КТ626Е

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
КТ626Е	2 000	2.79
КТ626Е	2 000	2.79

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTRONICS	1	31.65
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250		6 421	6.67
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MOTOROLA
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MOTOROLA
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	STMICROELECTRONICS
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	MCC
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ON Semiconductor
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTR
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	PHILIPS
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST1
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	ST MICROELECTRO
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	МИНСК
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	TRR	4 000	3.02
BD136	Транзистор PNP 45V 1,5A 8W B:40-250	КИТАЙ	3	7.50
КТ626А			40 149	3.72
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК
КТ626А		БРЯНСК
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ626А		2
КТ626А		2525
КТ626А		3098
КТ626А		39045
КТ626А		4192
КТ626А		50
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		2 040	33.48
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS	696	16.53
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц		7 280	3.30
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	STMICROELECTRONICS
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MCC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRONICS SEMI
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON Semiconductor
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTR
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ON SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	PHILIPS SEMIC
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST1
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	ST MICROELECTRO
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	МИНСК
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	NXP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	MULTICOMP
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	CJ
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	HOTTECH	400	7.30
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	TRR	4 312	3.30
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	JSCJ	3 183	10.58
BD140	Транзистор биполярный средней мощности PNP 80В, 1.5A, 12Вт, 50мГц	KEEN SIDE
TIP31A		POWER INNOVATIONS
TIP31A		ВЗПП
TIP31A		FAIR
TIP31A
TIP31A		ST MICROELECTRONICS
TIP31A		FAIRCHILD
TIP31A		FAIRCHILD
TIP31A		POWER INNOVATIONS
TIP31A		ST MICROELECTRONICS SEMI
TIP31A		STMicroelectronics
TIP31A		Fairchild Semiconductor
TIP31A		ON Semiconductor
TIP31A
TIP31A		MULTICOMP
КТ 837М
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	31	46.85
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		234	75.60
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
КТ646А	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР	30	96.09
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		61 888	29.76
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	400	32.79
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	САРАНСК
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	31985
КТ814В	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	44836