|
|
Версия для печати
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2Т606А | 677 | 151.20 | |||||
|
|
2Т606А | ЗНАМЯ |
|
|
||||
|
|
2Т606А | ЭКСПОРТ |
|
|
||||
|
|
2Т606А | ВОРОНЕЖ |
|
|
||||
|
|
2Т606А | ПОЛТАВА |
|
|
||||
|
|
2Т610Б | 59 | 982.80 | |||||
|
|
2Т610Б | МИНСК |
|
|
||||
|
|
|
P2N2222AG |
|
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
P2N2222AG |
|
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) | ON SEMICONDUCTOR |
|
|
|
|
|
|
P2N2222AG |
|
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) | ONS |
|
|
|
|
|
|
P2N2222AG |
|
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C) |
|
|
||
|
|
|
КВ 109 Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ... | RUS |
|
|
|
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА | 40 | 18.90 | |||
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА | ДНЕПР |
|
|
||
|
|
КВ132А |
|
40 пФ, добротность 300, 12 В, 50МГц, 0,05 мА | ТОМСК |
|
|