Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

МИКРОСХЕМЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		NP0-33PF 5% 50V		Керамический конденсатор радиальный многослойный 33 пФ, 50 В, 5%	KEMET
		NP0-33PF 5% 50V		Керамический конденсатор радиальный многослойный 33 пФ, 50 В, 5%		5	1.76
		К155ИЕ6				828	41.58
		К155ИЕ6			МЕЗОН
		К155ИЕ6			АЗОН
		К155ИЕ6			RUS
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г		3 088	25.20
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ДНЕПР
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИКРОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИНСК
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ХЕРСОН
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ИНТЕГРАЛ
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	RUS
		К155ЛА3		четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	АЗОН
		К174КП3					92.16
		К174КП3			ОРБИТА
		К174КП3			САРАНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	КРЕМНИЙ	311	35.91
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В		510	33.12
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	БРЯНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	МИНСК
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	RUS
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ИНТЕГРАЛ
		КТ646А		Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В	ТРАНЗИСТОР

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"