|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
4 467
|
2.83
|
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
|
|
5.84
|
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
MURATA
|
|
|
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
Murata Electronics North America
|
|
|
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
MUR
|
|
|
|
|
|
BLM21AG121SN1D |
|
Чип-дроссель SMD 0805 (Импеданс на 100MHz=120Ohm 25%, Idc= 200mA, T=-55 to +125C)
|
MURATA*
|
|
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
ONS
|
2 640
|
54.89
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
|
3 200
|
44.73
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
ON SEMICONDUCTOR
|
3
|
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
ONSEMI
|
113
|
390.83
|
|
|
|
MC33275ST-3.3T3G |
|
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
304
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
KB
|
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
|
|
60.16
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
SC04-12SRWA |
|
7-cегментный светодиод, общий катод, 10,16mm, зеленый (568 нм), белый сегмент на сером ...
|
KGB
|
|
|
|
|
|
К21-7-100 ПФ-10% |
|
|
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
338
|
33.12
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
532
|
26.46
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
2 271
|
37.80
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
1
|
42.36
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ815Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|