К50-35-220МКФ-40В+50/-20%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 24К 1%
TLP280GB-TP[F]	Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uce=80V If= 50mA CTRmin/max=50/600			168.00
TLP280GB-TP[F]	Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uce=80V If= 50mA CTRmin/max=50/600	TOSHIBA
TLP280GB-TP[F]	Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uce=80V If= 50mA CTRmin/max=50/600	TOS
TLP280GB-TP[F]	Оптрон с транзисторным выходом 1xCh 2,5kV Uce=80V If= 50mA CTRmin/max=50/600	4-7 НЕДЕЛЬ	646
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В		43 040	7.40
КТ315Г	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный усилительный 35В	НАЛЬЧИК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный		374	33.12
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	800	30.24
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	1 727	37.80
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	МИНСК
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	RUS
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ815Б	Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный	2159
МЛТ - 0.25 ВТ 3.3 КОМ 5%