Версия для печати

КАТАЛОГ

 » 

ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ ЭЛЕКТРОННЫЕ КОМПОНЕНТЫ

 » 

ДИОДЫ

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DC COMPONENTS	21 629	6.30
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SMK
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIODES INC.
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	FAIRCHILD
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL INSTRUMENT
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GENERAL SEMICONDUCTOR	64
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ON SEMICONDUCTOR	557
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	RECTRON	68
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MICROSEMI CORP
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SEMTECH	372	11.53
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	ST MICROELECTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YJ	3 304	8.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	---
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	КИТАЙ
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)		3 225	5.36
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GOOD-ARK	900	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MASTER INSTRUMENT	8	9.45
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	GALAXY ME
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	KINGTRONICS
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	DIOTEC
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	WUXI XUYANG	365	12.81
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE	2 000	7.01
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	YANGJIE (YJ)
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	MIG
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	TRR
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	1
		1N5820		Диод Шоттки (U=20V, I=3.0A, Vf=0.475V@I=3.0A, Vf=0.85V@I=9.4A, -50 to +125C)	SUNMATE	643	8.62
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	CHINA
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	BARONS
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	BOURNS
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...			26.96
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	BOURNS
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	Bourns Inc
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	КИТАЙ
		3006P-1-103		Потенциометр - резистор подстроечный многооборотный (cermet, R=10 kOm, +/-10%, 100ppm, ...	BOCHEN
		КВ109А		2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц			3.16
		КВ109А		2.2-2.7 пФ, добротность 300, 28 В, 10МГц	ДНЕПР
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный		1 769	10.12
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	КРЕМНИЙ	3 320	13.65
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	БРЯНСК	4 468	11.97
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	МИНСК
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	НАЛЬЧИК
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	АЛЕКСАНДРОВ
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	RUS
		КТ3102ЕМ		Транзистор структуры NPN универсальный	ИНТЕГРАЛ
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный		53 905	7.56
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
		КТ361Б		Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"