Д814Б1 СТ
|
|
Версия для печати
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | NXP |
|
|
|
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | 214 | 120.25 | ||
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | PHILIPS SEMIC |
|
|
|
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | PHILIPS |
|
|
|
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | 1 |
|
|
|
|
|
|
TDA1013B |
|
УHЧ 4.2W (18V/8 Ом), эл. pег. гpомкости | 4-7 НЕДЕЛЬ | 704 |
|
|
| КС591 (СТЕКЛО) |
|
|
||||||
 |
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | 1 763 | 18.90 | ||
|
|
|
КТ315Б |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ... | МИНСК |
|
|
|
| КТ315Ж1 |
|
|
||||||
| КТ315Ж1 | ИНТЕГРАЛ | 532 | 14.05 | |||||
 |
КТ361Д |
|
Транзистор высокочастотный усиленный | 7 436 | 1.85 | |||
|
|
КТ361Д |
|
Транзистор высокочастотный усиленный | ТОМСК |
|
|
