| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
|
TECAP 22/16V C 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
VISHAY
|
1
|
8.75
|
|
|
|
|
TECAP 22/16V C 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
SAM
|
|
|
|
|
|
|
TECAP 22/16V C 10 |
|
Электролитический танталовый конденсатор 22 мкФ 16 В
|
|
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
|
11 384
|
3.70
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ДНЕПР
|
8
|
6.36
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
ПО "ДНЕПР"
|
2 320
|
10.33
|
|
|
|
Д220Б |
|
Диод кремниевый, сплавный, импульсный 100В, 50мА
|
400
|
1
|
4.43
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.1 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В
|
|
|
8.48
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.1 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-100-0.1 10% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.1 мкФ 100 В
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-63-0.01 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 63 В
|
|
|
8.08
|
|
|
|
|
К73-17-63-0.01 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 63 В
|
КЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-63-0.01 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 63 В
|
ПРОМТЕЗКЗК
|
|
|
|
|
|
|
К73-17-63-0.01 5% |
|
Комбинированный с фольговыми обмотками конденсатор 0.01 мкФ 63 В
|
ПРОМТЕХКЗК
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
|
112
|
22.68
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
ДНЕПР
|
452
|
10.60
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
125
|
|
|
|
|
|
КВ109Г |
|
Варикапы кремниевые, эпитаксиально-планарные, подстроечные, для схем подстройки ...
|
660
|
|
|
|