PIC12F683-I/SN
2Kx14 Flash 6I/O 20MHz
|
|
Версия для печати
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PIC® 12F |
| Процессор | PIC |
| Размер ядра | 8-Bit |
| Скорость | 20MHz |
| Периферия | Brown-out Detect/Reset, POR, PWM, WDT |
| Число вводов/выводов | 5 |
| Размер программируемой памяти | 3.5KB (2K x 14) |
| Тип программируемой памяти | FLASH |
| EEPROM Size | 256 x 8 |
| Размер памяти | 128 x 8 |
| Напряжение источника (Vcc/Vdd) | 2 V ~ 5.5 V |
| Преобразователи данных | A/D 4x10b |
| Тип осцилятора | Internal |
| Рабочая температура | -40°C ~ 85°C |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не
предназначена для использования в конструкторской документации.
С этим товаром покупают:
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
 |
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJITSU |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI ELECTRIC | 4 | 260.82 | |
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W |
|
228.48 | ||
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJI |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | FUJ |
|
|
|
|
|
|
2SK956 |
|
Транзистор полевой N-MOS 800V, 9A, 150W | МАЛАЙЗИЯ |
|
|
|
|
|
LTC1966IMS8 | LT |
|
|
||||
|
|
LTC1966IMS8 | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
||||
|
|
LTC1966IMS8 |
|
1 140.00 | |||||
|
|
LTC1966IMS8 | КИТАЙ |
|
|
||||
|
|
LTC1966IMS8 | AD-LTC |
|
|
||||
|
|
LTC1966IMS8 | 4-7 НЕДЕЛЬ | 24 |
|
||||
| LTC3410BESC6TRPBF | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
|||||
| LTC3410BESC6TRPBF | LINEAR TECHNOLOGY |
|
|
|||||
 |
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm | BOURNS | 8 730 | 18.59 | |
|
|
|
RLB0914-331KL |
|
Индуктивность 330μH 0,6A 8,7x12mm |
|
65.60 | ||
| TSL0807-471K |
|
19.00 |
