| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
VISHAY
|
800
|
9.83
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
|
13 992
|
1.52
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MOTOROLA
|
4
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
NXP
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MCC
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
ONS
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
YJ
|
|
|
|
|
|
|
1N4728A |
|
Стабилитрон 1W, 3,3V
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG DEVICES
|
180
|
1 315.88
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
|
|
569.20
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
США
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
|
AD817ANZ |
|
Низкопотребляющие, высокоскоростные операционные усилители, 50МГц, 350В/мкС, Uпит от ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
281
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
ANALOG DEVICES
|
2
|
1 616.29
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
ANALOG
|
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
Analog Devices Inc
|
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
|
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
AD1
|
|
|
|
|
|
|
AD826ANZ |
|
2 Операционный усилитель бипл., 50 МГц, 350 В/мкс, Uсм = 0,5 мВ, 10 мкВ/°С, 15 нВ/VГц, ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
300
|
|
|
|
|
|
M300 |
|
Мультиметр цифровой 1 мВ - 500 В, U~ 0,1 В - 500 В, 0,1 мА - 0,2 А, 0,1 Ом - 2 МОм, ...
|
|
|
1 020.00
|
|
|
|
|
M300 |
|
Мультиметр цифровой 1 мВ - 500 В, U~ 0,1 В - 500 В, 0,1 мА - 0,2 А, 0,1 Ом - 2 МОм, ...
|
MASTECH
|
2
|
1 515.23
|
|
|
|
|
M300 |
|
Мультиметр цифровой 1 мВ - 500 В, U~ 0,1 В - 500 В, 0,1 мА - 0,2 А, 0,1 Ом - 2 МОм, ...
|
RIGOL
|
1
|
139 474.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
|
1 349
|
16.65
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
280
|
90.02
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
БРЯНСК
|
258
|
36.12
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ФРЯЗИНО
|
561
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЕКТРОНПРИБОР
|
400
|
49.14
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМН
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭДЬТАВ
|
|
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
ЭЛЬТАВ
|
300
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
УЛЬЯНОВСК
|
120
|
16.80
|
|
|
|
|
КТ829Б |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN составной усилительный
|
КРЕМНИЙ ЭЛ
|
109
|
19.60
|
|
Версия для печати
