|
Версия для печати
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 mOhm @ 75A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 75A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 290nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 7960pF @ 25V |
| Power - Max | 330W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 |
| Корпус | TO-220AB |
|
IRF3805 (MOSFET) HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Производитель:
|
| Наименование | Описание | Производитель | Количество | Цена, руб. | Купить | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
|
60CPQ150 |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 | VISHAY |
|
|
|
|
|
|
60CPQ150 |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
|
|
|
|
|
|
60CPQ150 |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 |
|
367.16 | ||
|
|
|
60CPQ150 |
|
Диод 60A,150В Шоттки x2 | 1 |
|
|
|
| МЛТ - 0.5 ВТ 680 ОМ 5% | 51 024 | 1.43 | ||||||
| ОМЛТ -0.5 ВТ 6.2 ОМ 5% |
|
|