EC24-221K

Индуктивность 220мкГн, Idc(max)=130мА, имп. дроссель

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС	Купить
EC24-221K (CHINA)	1 520	1.39

Версия для печати

Технические характеристики EC24-221K

Производитель	KLS ELECTRONICS CO.,LTD
Номинальная индуктивность	220 мк Гн
Ток номинальный	0.13 А
Частота тестирования	0.796 МГц
Резонансная частота минимальная	4 МГц
Типовое омическое сопротивление	5700 мОм
Добротность типичная на частоте 1	75
Тип монтажа	Axial
Магнитное экранирование	Нет
Размер корпуса	ф 3x8 мм

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
CC1206KKX7R8BB475	Керамический конденсатор 4.7 мкФ 25 В	YAGEO	47 776	1.95
CC1206KKX7R8BB475	Керамический конденсатор 4.7 мкФ 25 В			59.20
CC1206KKX7R8BB475	Керамический конденсатор 4.7 мкФ 25 В	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
ГРПМШ1-45-ШУ-2-В ВИЛ.			152	201.60
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		432	12.88
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	540	10.96
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	СВЕТЛАНА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	РИГА
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	7 164	12.60
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ПРОХЛАДНЫЙ
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	НАЛЬЧИК
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	АЛЕКСАНДРОВ	1 920	8.40
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ ЭЛ	8	6.29
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1728	5	203 932.52
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2400	4	201 513.16
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	2884	5	204 033.31
КТ3107И	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	4344	5	203 831.70
КТ626А			1 160	18.90
КТ626А		КРЕМНИЙ
КТ626А		ТОМСК	39 128	4.20
КТ626А		БРЯНСК	1	6.30
КТ626А		ВОРОНЕЖ
КТ626А		RUS
КТ626А		2	2	201 815.56
КТ626А		2525	1	200 908.30
КТ626А		3098	1	200 605.89
КТ626А		39045	1	200 706.69
КТ626А		4192	1	200 807.50
КТ626А		50	1	201 009.11
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц		6 824	41.40
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	МИНСК	20 361	48.30
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ТРАНЗИСТОР МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ЗПП МИНСК
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ	1 920	123.98
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	ИНТЕГРАЛ-С
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	RUS
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	РОССИЯ
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	12231	24	204 134.12
КТ972А	Транзистор кремниевый NPN усилительный 60В, 4А, 200МГц	13221	22	204 033.31