|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
KB
|
308
|
270.44
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
KINGBRIGHT
|
|
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
|
|
119.44
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
KGB
|
132
|
312.48
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
ТАЙВАНЬ (КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
BA56-12GWA |
|
Сегментный светодиод, 3 знака, общий анод, 14,22mm, красный (625 нм), белый сегмент на ...
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
1 392
|
177.22
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
|
472
|
149.25
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
MICRO CHIP
|
27
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
Microchip Technology
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
ТАИЛАНД
|
|
|
|
|
|
PIC16F676-I/P |
|
Микроконтроллер широкого назначения 1Kx14 Flash 12I/O 20MHz, 8BIT FLASH MCU, EEPROM ...
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
798
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
|
3 152
|
15.12
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
515
|
12.47
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
АЛЕКСАНДРОВ
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
КТ503А |
|
Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
|
|
36.08
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 ЗЕЛ. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
|
|
36.08
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
ПОЛЬША
|
|
|
|
|
|
ТРУБКА ТЕРМОУСАДОЧНАЯ D 4.8 КРАСН. 0.5М |
|
|
ГЕРМАНИЯ
|
|
|
|