BTS133

Название (производитель)	Доступно для заказа	Цена, руб.,без НДС
BTS133	2	126.75
BTS133	2	126.75
BTS133 (4-7 НЕДЕЛЬ)	605	3-4 недели Цена по запросу

Версия для печати

Технические характеристики BTS133

Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HITFET®
Тип	Low Side
Тип входа	Non-Inverting
Число выходов	1
Сопротивление (On-State)	40 mOhm
Ток выходной / канал	7A
Ток - выходной (пиковое значение)	65A
Напряжение питания	2.2 V ~ 10 V
Рабочая температура	-40°C ~ 150°C
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	P-TO220-3

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
BTS117TC		Infineon Technologies
BTS117TC		INFINEON
BTS117TC
BTS117TC		INFINEON	40
BTS117TC		4-7 НЕДЕЛЬ	111
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А	INFINEON
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А			848.00
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А	Infineon Technologies
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А	INFINEON TECH
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А	INFINEON
BTS740S2	Транзистор-переключатель полевой, интелектуальный ключ 3,8Вт, 34В, 8,5А	4-7 НЕДЕЛЬ	651
FM24C16B-G		RAMTRON
FM24C16B-G		RAM
FM24C16B-G		CYPR
FM24C16B-G		CYPRESS
FM24C16B-G		CYP
FM24C16B-G
VND10B		SGS
VND10B		ST MICROELECTRONICS
VND10B		SGS THOMSON
VND10B		ST MICROELECTRONICS SEMI
VND10B		STMicroelectronics
VND10BSP		ST MICROELECTRONICS
VND10BSP		ST MICROELECTRONICS SEMI
VND10BSP		STMicroelectronics
VND10BSP
VND10BSP		4-7 НЕДЕЛЬ	156