| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
DC COMPONENTS
|
9 998
|
9.31
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
|
7 782
|
1.70
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICRO SEMICONDUCTOR(MICROSEMI)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MOTOROLA
|
8
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
NXP
|
56
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
TAK CHEONG ELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
WILLAS ELECTRONIC CORP
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
MICROSEMI CORP
|
4
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KINGTRON
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
HOTTECH
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KLS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SEMTECH
|
41 920
|
1.26
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
VISHAY
|
4
|
23.87
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
0.00
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
YJ
|
2 884
|
6.32
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
1
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
SUNTAN
|
4 687
|
1.81
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
KEEN SIDE
|
1
|
1.36
|
|
|
|
1N4744A |
|
Стабилитрон выводной 1Вт, 15В, 15мА
|
923
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
800
|
12.49
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NATIONAL SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NXP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
PHILIPS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DC COMPONENTS
|
13 558
|
6.37
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
UTC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
DIOTEC
|
492
|
4.45
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MOTOROLA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
OTHER
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
|
888
|
1.07
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
TOSHIBA
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
---
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
NO TRADEMARK
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MULTICOMP
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
HOTTECH
|
34
|
1.44
>100 шт. 0.72
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
CHINA
|
9 576
|
1.22
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ZH
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
ASEMI
|
2 272
|
1.11
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
KEEN SIDE
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
MERRYELC
|
|
|
|
|
|
2N5551 |
|
Транзистор NPN (Uce=180V, Ic=0.3A, P=630mW, B=80-250@I=10mA, f>100MHz, -65 to +150C)
|
RUME
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
МАРОККО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
|
800
|
23.91
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
BDX53C |
|
Транзистор биполярный SMD NPN составной (Uce=100V, Ic=8A (12A peak), B>750@I=3A, ...
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 10/160V 0812 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 160 В
|
JAMICON
|
|
|
|
|
|
|
ECAP 10/160V 0812 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 160 В
|
|
|
14.00
|
|
|
|
|
ECAP 10/160V 0812 105C |
|
Электролитический алюминиевый конденсатор 10 мкФ 160 В
|
JAM
|
|
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
MCC
|
|
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
ON SEMICONDUCTOR
|
33
|
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
|
6 020
|
3.92
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
YJ
|
121
|
22.96
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
SENOCN
|
12
|
7.50
|
|
|
|
MUR420 |
|
(RL) UFAST диод 4А 200В
|
YANGZHOU YANGJIE
|
|
|
|