МЛТ-2-5.6 КОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В	MASTER CHIP
0805 1КОМ 5%	Чип-резистор 1кОм, 5%, 0.125 Вт, 150В
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...		1 964	18.90
КТ315Б	Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 20В, 0.1А, ...	МИНСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный		53 398	7.56
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТОМСК
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	RUS
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР	372	1.09
КТ361Б	Транзистор структуры PNP усилительный	НИИПП ТОМСК	168	8.27
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		179	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 875	34.12
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 892	37.80
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР