|
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КРИСТАЛЛ
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
|
4
|
136.16
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
224
|
304.50
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
ОПТРОН
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
АОТ110Б |
|
Оптопары транзисторные из излучающего диода на основе соединения ...
|
КАЛУГА
|
|
|
|
|
|
Д232А |
|
Диоды Д232А кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения ...
|
|
12
|
100.80
|
|
|
|
Д232А |
|
Диоды Д232А кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения ...
|
САРАНСК
|
|
|
|
|
|
Д232А |
|
Диоды Д232А кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
Д232А |
|
Диоды Д232А кремниевые, диффузионные, для преобразования переменного напряжения ...
|
СЗТП
|
|
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
|
1
|
240.50
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
ЭЛЬТАВ
|
|
|
|
|
|
КТ848А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 35Вт, 400В, ...
|
ФРЯЗИНО
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0.25-1.5 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0.25-680 ОМ 5% |
|
|
|
|
|
|