МЛТ-0.25-510 КОМ 5%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
MF-0.25-7.5K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический	CHINA
MF-0.25-7.5K 5%	Резистор постоянный непроволочный металлодиэлектрический			2.84
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г		2 948	25.20
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ДНЕПР
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИКРОН
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	МИНСК
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ХЕРСОН
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	ИНТЕГРАЛ
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	RUS
К155ЛА3	четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г	АЗОН
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный		131	29.44
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	КРЕМНИЙ	1 200	33.57
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	БРЯНСК	3 818	38.16
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	МИНСК
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ИНТЕГРАЛ
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	RUS
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	ТРАНЗИСТОР
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	1150
КТ814Б	Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный	3240
МЛТ-0.25-200 КОМ 5%
ОМЛТ-0.25-27 КОМ 5%