| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
|
|
34.00
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTRONICS
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
СИНГАПУР
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST1
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
---
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TDA2822M |
|
ИМС УНЧ 2х1Вт, DIP08, 1,8 - 15В
|
4-7 НЕДЕЛЬ
|
375
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
|
2 922
|
25.20
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ДНЕПР
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИКРОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ХЕРСОН
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
К155ЛА3 |
|
четыре логических элемента 2И-НЕ, 201.14-1, 1 г
|
АЗОН
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
|
131
|
20.24
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
КРЕМНИЙ
|
1 200
|
33.57
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
БРЯНСК
|
3 818
|
38.16
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
1150
|
|
|
|
|
|
|
КТ814Б |
|
Транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры PNP усилительный
|
3240
|
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
КРЕМНИЙ
|
40
|
1 748.99
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
|
151
|
460.00
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
БРЯНСК
|
364
|
954.00
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
21
|
|
|
|
|
|
|
КТ841А |
|
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные, для применения в ...
|
448
|
|
|
|
|
|
|
МЛТ-0.25-5.1 КОМ 5% |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
