| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
 |
 |
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS
|
80
|
132.74
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
|
12
|
257.04
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMicroelectronics
|
1
|
68.75
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ON Semiconductor
|
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRONICS SEMI
|
23
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
ST MICROELECTRO
|
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
STMICROELECTR
|
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
0.00
|
|
|
|
|
|
|
TIP35C |
|
Транзистор биполярный большой мощности 100В, 25A, 125Вт, 3МГц
|
1
|
|
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
|
|
4.80
|
|
|
|
|
ГД507А |
|
Диод импульсный для монтажа в отв. платы, Uоб/Uимп - 20/30В, Iпр/I обр 16мА/100мкА
|
ЭЛЕКС
|
|
|
|
|
|
|
КД2998Г |
|
|
|
607
|
98.38
|
|
|
|
|
КД2998Г |
|
|
ТОМИЛИНО
|
69
|
95.40
|
|
|
|
|
КД2998Г |
|
|
37
|
|
|
|
|
|
|
КД2998Г |
|
|
50
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
КРЕМНИЙ
|
124
|
39.04
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
|
512
|
33.12
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
БРЯНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
RUS
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
|
КТ646А |
|
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры NPN усилительный 1Вт, 200МГц, 60В
|
ТРАНЗИСТОР
|
|
|
|
|
|
|
ТАН37-220-50К |
|
|
|
|
|
|
Версия для печати
