КСОТ-2Г-500В-330 ПФ 10%

Версия для печати

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BARONS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BI TECHNOLOGIES
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``			56.00
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOURNS
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	Bourns Inc
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	КИТАЙ
3266W-1-103	Резистор подстроечный, многооборотный, винт сверху, 10 кОм, 1/4``	BOCHEN	6 554	16.45
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR				46.80
IRF7507TR		INTERNATIONAL RECTIFIER
IRF7507TR		INFINEON
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INTERNATIONAL RECTIFIER
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET		60 758	3.30
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	ФИЛИППИНЫ
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	YOUTAI	2	2.56
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HUASHUO	1 381	3.85
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	HOTTECH	593 927	1.69
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KLS
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	1
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	INFINEON
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	SUNTAN	316 291	8.28
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	UMW	16 000	3.10
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	KEEN SIDE	10 837	2.27
IRLML6402	Транзистор полевой P-канальный MOSFET	1930
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	CHINA
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MUR	19 460	14.19
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812			24.60
LQH43MN101K03L	SMD индуктивность 100мкГн +/-10%, Imax=0,08 A 1812	MURATA
КСО-5Г-500В-1500ПФJ