Версия для печати

С этим товаром покупают:

		Наименование		Описание	Производитель	Количество	Цена, руб.	Купить
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	CHIN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS	22 240	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MCC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)		20 400	1.26
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	DC COMPONENTS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.	998
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTRON	105
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GEMBIRD
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	КИТАЙ	400	4.91
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NINGBO
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	MIC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	RECTIFIER
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	QUAN-HONG
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	GALAXY ME
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KINGTRONICS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	TSC
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	SUNTAN
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	KLS
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	WUXI XUYANG	1 272	2.44
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	HOTTECH	26 400	1.45
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YANGJIE	12 000	1.68
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	1
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	NY	11 504	2.10
		FR107		Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)	YJ	17 326	1.89
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	INTERNATIONAL RECTIFIER	8	102.06
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	VISHAY
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)		1	211.68
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	Vishay/Siliconix
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX	34
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	ST MICROELECTRONICS	8	102.06
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	SILICONIX
		IRF840A		Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)	1
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный		1 605	28.52
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	КРЕМНИЙ	3 803	28.82
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	МИНСК
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	БРЯНСК	14 721	33.60
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	RUS
		КТ817Г		Транзистор средней мощности среднечастотный структуры NPN усилительный	ИНТЕГРАЛ
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...		2 079	35.15
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	КРЕМНИЙ	548	49.14
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	БРЯНСК	810	94.50
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	УЛЬЯНОВСК	92	21.00
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	МИНСК
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	RUS
		КТ818Б		Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...	ИНТЕГРАЛ
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный		222	46.25
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	КРЕМНИЙ	261	88.72
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	БРЯНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	МИНСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	УЛЬЯНОВСК
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	ИНТЕГРАЛ
		КТ819В		Транзистор кремниевый меза-эпитаксиально-планарный структуры NPN переключательный	RUS

О компании

Контакты

Каталог

Как купить?

Доставка

Оплата

Вакансии

Вход

© 2002 - 2025 АО "Контест"