| |
|
Наименование
|
|
Описание
|
Производитель
|
Количество
|
Цена, руб.
|
Купить
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAI/QTC
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
|
1 644
|
28.21
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
КИТАЙ
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ON SEMI/FAIRCH
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONSEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FQP50N06 |
|
Силовой транзистор N-MOS 60V, 50A, 120W
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
|
|
130.80
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FAIRCHILD
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
Fairchild Semiconductor
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
США
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
СОЕДИНЕННЫЕ ШТА
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
FSC1
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS-FAIR
|
|
|
|
|
|
FQPF10N60C |
|
Транзистор полевой N-канальный MOSFET (600V, 9.5A, 50W)
|
ONS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
CHIN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
41 312
|
2.12
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MCC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
|
20 400
|
1.27
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
DC COMPONENTS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANF.
|
998
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTRON
|
105
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
ТАЙВАНЬ(КИТАЙ)
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GEMBIRD
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
КИТАЙ
|
420
|
5.47
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NINGBO
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
MIC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
RECTIFIER
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
QUAN-HONG
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
GALAXY ME
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KINGTRONICS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
TSC
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNTAN
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KLS
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
WUXI XUYANG
|
1 314
|
1.35
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
HOTTECH
|
23 848
|
1.58
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YANGJIE
|
11 200
|
1.81
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
1
|
|
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
NY
|
11 424
|
2.12
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
YJ
|
16 808
|
1.78
>100 шт. 0.89
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
KEEN SIDE
|
21 888
|
1.46
>100 шт. 0.73
|
|
|
|
FR107 |
|
Быстрый импульсный диод (Vr=1000V, If=1A@T=75C, Ifsm=30A)
|
SUNCON (SUN ELEC INDUSTRIES)
|
80
|
1.72
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
INTERNATIONAL RECTIFIER
|
8
|
110.09
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
VISHAY
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
|
1
|
211.68
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
Vishay/Siliconix
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
34
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
ST MICROELECTRONICS
|
8
|
110.09
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
SILICONIX
|
|
|
|
|
|
IRF840A |
|
Полевой транзистор N-канальный (500V, 8A, 125W, 0.85R)
|
1
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
|
2 077
|
37.00
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
КРЕМНИЙ
|
484
|
53.09
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
БРЯНСК
|
912
|
95.40
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
УЛЬЯНОВСК
|
117
|
21.20
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
МИНСК
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
RUS
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
ИНТЕГРАЛ
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
127
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
15
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
25
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
32
|
|
|
|
|
|
КТ818Б |
|
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные, ...
|
988
|
|
|
|